1 элемент-тип

2 элемент-рабочее напряжение

3 элемент-номинальная емкость

4 элемент-допуск

5 элемент-код TKE

6 элемент-технические условия

Первый элемент (буква или цифра) обозначает тип конденсатора

Второй элемент (цифры и буквы) обозначает напряжение, при котором конденсатор может работать в заданных условиях и единицу измерения.

Третий элемент (цифры и буквы) обозначает номинальную емкость конденсатора и единицу измерения.

Четвертый элемент (цифры) обозначает допускаемое отклонение емкости от номинала.

Пятый элемент (буква) обозначает температурный коэффициент емкости для конденсаторов с линейной зависимостью емкости при изменении температуры.

Шестой элемент предусматривает технические условия и вид приемки.

3.3 Диоды

Полупроводниковые диоды.

Полупроводниковые диоды - электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий один p-n переход и два выхода.

Структура диода.

Графическое изображение .

Буквами p и n обозначаются слои полупроводника, с проводниками соответственно

P-positive

N-negative

Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа N и с кристаллом типа Р. Обычно концентрация основных носителей заряда(дырок в слое Р и электронов в слое N) сильно отличаются.

Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию называют электроном, а меньшую концентрацию - база.

На границе раздела P-N перехода существует потенциальный барьер, обусловленный физическими процессами.

В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего P-N перехода и характеристической длины в пути неосновных носителей заряда в базе.

Различают плоскостные и точечные диоды. Выпрямляющими свойствами может обладать контакт между металлом и полупроводником, который назван переходом Шотки. Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки(в отличии от P-N перехода) является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок.

Выпрямительный диод.

Полупроводниковый диод предназначенный для преобразования переменного(2-х полярного) тока в ток одной полярности, называют выпрямительным диодом.

Высокочастотные и импульсные диоды.

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов включения и выключения при прохождении импульсного сигнала называют импульсным диодом.

Под высокочастотными диодами обычно понимают различные типы точечных диодов.

Диоды служат для выпрямления переменного тока в импульсных устройствах.

В качестве переключателя, распределителей сигналов и т.д. Диоды пропуская ток в одном направлении преобразуют переменный ток в постоянный.

1) Вольтамперная характеристика

2) Максимально допускаемое обратное напряжение

3) максимально допустимый прямой ток

Основные типы диодов. Условно графические обозначения:

1) выпрямительные, переключающие и импульсные диоды

2) стабилитроны - полупроводниковый диод, напряжение на котором(в области электрического пробоя при обратном смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабилитроном.

3) Стабистор - полупроводниковый диод, напряжение на котором( в области электрического пробоя при прямом смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабистором.

4) Диод Шотки.

5) варикап - полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения, называется варикапом.

Классификация системы обозначений. Диоды до 1982 года ГОСТ 5461-59(старого образца)

Обозначение состоит из 2-3 элементов:

1: Д-диод

2: номер

От 1 до 100 - точечный германиевый

От 101 до 200 - точечный кремниевый

От 301 до 400 - точечный германиевый

От 401 до 500 - сверхвысокочастотные диоды

3: буква обозначающая различие диодов одной серии по электрическим параметрам.

В основу обозначения полупроводниковых диодов(отраслей) ГОСТ ОСТ 1336.919-81 положен буквенно-цифровой код.

1-й элемент(цифра или буква) - обозначаем исходный полупроводниковый материал:

Г(1) - германий и его соединения

К(2) - кремний и его соединения

А(3) -галлий и его соединения

Н(4) - индий и его соединения

2-й элемент(буква) - обозначает подкласс прибора

Д-диод

А-СВЧ диоды

Ц - Выпрямительные столбы и блоки

В - варикап

И-тоннельные диоды

С-стабилитроны

Г-генераторы

Л-излучающие оптоэлектронные диоды

О-оптопары

3-й элемент(цифра) - основные функции возможности прибора, наиболее характерны эксплуатационные приборы.

4-й элемент

От 0,1 до 99

От 101 до 999

5-й элемент(буква) - условно определяющая классификацию приборов, изготовленных по единой технологии.

Пример обозначения:

2Ф204В

2-кремниевый

Ф - выпрямительный

2- хар-р эксплуатационные

04- порядковый номер разработки

В-разбраковка по параметрам

Транзисторы - полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, преобразования эл. Сигналов.

3.4 Основные параметры биполярных транзисторов

Полевые транзисторы.

Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем, усилительные свойства которого условленны потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы.

Основой полевого транзистора является канал с электропроводимостью N или P типа, созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами. Сопротивлением канала управляет электрод(затвор), соединенный с его средней частью P-N перехода. Электрод, через который проводящий канал втекают носители заряда, через который из канала вытекают носители заряда, называются стоком.

Iис = Ic

Ток полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одной полярности:

P- позитив дырки

N- негатив электрона

При подаче запирающего напряжения в затворе сток, объем проводящего канала уменьшается за счет вытеснения основных носителей полем P-N перехода. Чем выше запирающее напряжение, тем меньше ток, протекающий от истока к стоку.

Т.к. входной электрод(P-N переход) постоянно заперт, входное сопротивление транзистора очень высоко.

Существует 2 типа полевых транзисторов, которые различаются принципами управления носителей зарядов.

Эти транзисторы:

- с изолированным затвором(МДП,МОП)

- с управляющим P-N переходом.

МДП и МОП транзисторы называются транзисторами с изолированным затвором, в принципе действия лежит эффект поля, представляющий собой изменения величины и знака электропроводности на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения .

Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор электрич. изолированный от проводящего канала и подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимости от полярности напряжения приложенного к затвору электропроводность канала полевого транзистора может уменьшаться(при подаче запирающего напряжения) канал работает в режиме обеднения основными носителями или увеличения(канал работает в режиме обогащения).

Входное сопротивление МДП,МОП транзисторов значительно больше чем полевых транзисторов с P-N переходом и составляет МОм и ГОм.

Графическое обозначение транзистора.

Биполярные

Однопереходные транзисторы

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5