Усилитель кабельных систем связи
Министерство образования Российской Федерации
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)
УСИЛИТЕЛЬ КАБЕЛЬНЫХ
СИСТЕМ СВЯЗИ
Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине
Схемотехника и АЭУ
Студент гр. 148-3
__________Булдыгин А.Н.
24.04.2001
Руководитель
Доцент кафедры РЗИ
_____________Титов А.А.
_____________
Реферат
Курсовой проект 19 с., 11 рис., 1 табл.
КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ (Кu), АМПЛИТУДНОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
(АЧХ), ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЁМКОСТИ, ДРОССЕЛИ, ПЕРЕКРЁСТНЫЕ
ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ.
Объектом проектирования является усилитель
кабельных систем связи.
Цель работы – приобретение навыков
аналитического расчёта усилителя по заданным к нему требованиям.
В процессе работы производился
аналитический расчёт усилителя и вариантов его исполнения, при этом был
произведён анализ различных схем термостабилизации, рассчитаны эквивалентные
модели транзистора, рассмотрены варианты коллекторной цепи транзистора.
В результате расчета был разработан
магистральный усилитель с заданными требованиями. Полученный усилитель может
быть использован для компенсации потерь мощности, устанавливаемый между
многокилометровыми отрезками кабелей.
Курсовая работа выполнена в текстовом
редакторе Microsoft Word 7.0.
Рисунки выполнены в графическом редакторе Actrix Technical.
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
на курсовое проектирование по курсу “Аналоговые
электронные устройства”
студент гр. 148-3 Булдыгин А.Н.
Тема проекта: Усилитель кабельных систем связи.
Исходные данные для проектирования аналогового
устройства.
1. Диапазон частот от 40 МГц до 230 МГц.
2. Допустимые частотные искажения Мн 3 dB, МВ 3 dB.
3. Коэффициент усиления 30 dB.
4. Сопротивление источника сигнала 50 Ом.
5. Амплитуда напряжения на выходе 2 В.
6. Характер и величина нагрузки 50 Ом.
7. Условия эксплуатации (+10 +60)ºС.
8. Дополнительные требования: согласование усилителя
по входу и выходу.
Содержание
1 Введение ------------------------------------------
----------------------------- 5
2 Основная часть
---------------------------------------------------------------- 6
2.1 Анализ исходных данных
-------------------------------------------------- 6
2.2 Расчёт оконечного каскада
----------------------------------------------- 6
2.2.1 Расчёт рабочей точки
---------------------------------------------------- 6
2.2.2 Выбор транзистора и расчёт эквивалентных схем
замещения---- 8
2.2.2.1 Расчёт параметров схемы Джиаколетто
-------------------------- 8
2.2.2.2 Расчёт однонаправленной модели транзистора ------------------
9
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации
-------------------------- 9
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация
-------------------------------------- 9
2.2.3.2 Пассивная коллекторная
---------------------------------------------- 11
2.2.3.3 Активная коллекторная
----------------------------------------------- 11
2.3 Расчёт усилителя
----------------------------------------------------------- 12
2.4 Расчёт ёмкостей и дросселей
--------------------------------------------- 15
Схема электрическая принципиальная
------------------------------------- 16
Спецификация
------------------------------------------------------------------- 17
3 Заключение
-------------------------------------------------------------------- 18
4 Список используемой литературы
----------------------------------------- 19
1 Введение
Цель работы – приобретение навыков
аналитического расчёта магистрального усилителя по заданным к нему требованиям.
Кабельные системы связи являются одной из важных
составляющих глобальных и локальных мировых систем телекоммуникаций. Для
компенсации потерь мощности сигнала, в таких системах, используются
широкополосные усилители, устанавливаемые между многокилометровыми отрезками
кабелей.
Указанные усилители
относятся к необслуживаемым устройствам и должны обладать следующими
достоинствами: хорошее согласование по входу и выходу, исключающее возможность
переотражения сигналов в кабельных сетях; неизменность параметров усилителя во
времени, в диапазоне температур, и при старении активных элементов схемы; хорошая
повторяемость характеристик усилителей при их производстве, без необходимости
подстройки;
Всеми перечисленными выше
свойствами обладают усилители с отрицательными перекрестными обратными связями [1],
что достигается благодаря совместному использованию последовательной местной и
общей параллельной обратной связи по току в промежуточных каскадах и
параллельной обратной связи по напряжению в выходном каскаде.
2 Основная часть
2.1 Анализ
исходных данных
Средне
статистический транзистор даёт усиление в 20 dB, по заданию у нас 30 dB,
отсюда получим, что наш усилитель будет иметь как минимум 2 каскада. Реализуем усилитель на
2-х активных элементах. Уровень допустимых искажений АЧХ, по заданию, 3 dB,
тогда на каждый каскад приходится по 1,5 dB.
Вследствие того, что
у нас будут перекрёстные обратные связи рис.(2.3.1), которые нам дадут хорошее
согласование по входу и выходу, в них будет теряться 1/3 выходного напряжения,
то возьмём Uвых в 1,5 раза больше заданного, т.е. 3В.
2.2 Расчёт
оконечного каскада
2.2.1
Расчёт рабочей точки
По
заданному напряжению на выходе усилителя рассчитаем напряжение коллектор эмитер
и ток коллектора (рабочую точку) [2].
Uвых=1,5Uвых(заданного)=3 (В)
Iвых===0,06 (А)
Рассмотрим
два варианта реализации схемы питания транзисторного усилителя [2]: первая
схема реостатный каскад, вторая схема дроссельный каскад.
Реостатный каскад:
Rк=50 (Ом), Rн=50 (Ом), Rн~=25 (Ом) рис(2.2.1.1).
Рисунок 2.2.1.1-Схема реостатного
Рисунок 2.2.1.2- Нагрузочные прямые.
каскада по
переменному току.
Iвых===0,12 (А)
Uкэ0=Uвых+Uост, где
(2.2.1)
Uкэ0-напряжение рабочей точки или постоянное
напряжение на переходе коллектор эмитер. Uвых-напряжение на выходе
усилителя.
Uост-остаточное напряжение на транзисторе.
Iк0=Iвых+0,1Iвых, где (2.2.2)
Iк0-постоянная составляющая тока коллектора.
Iвых-ток на выходе усилителя.
Uкэ0=5 (В)
Iк0=0,132 (А)
Выходная мощность
усилителя равна:
Pвых===0,09 (Вт)
Напряжение источника
питания равно:
Eп=Uкэ0+URк=Uкэ0+ Iк0×Rк=11,6 (В)
Мощность рассеиваемая
на коллекторе транзистора:
Pрасс=Uкэ0×Iк0=0,66 (Вт)
Мощность потребляемая от источника
питания:
Рпотр= Eп×Iк0=1,5312 (Вт)
Iвых= ==0,06 (А)
Дроссельный каскад
рис(2.2.1.3).
Рисунок 2.2.1.3-Схема
дроссельного Рисунок 2.2.1.4- Нагрузочные прямые.
каскада по
переменному току.
По формулам (2.2.1) и
(2.2.2) рассчитаем рабочую точку.
Uкэ0=5 (В)
Iк0=0,066 (А)
Pвых===0,09 (Вт)
Eп=Uкэ0=5 (В)
Рк расс=Uкэ0×Iк0=0,33 (Вт)
Рпотр= Eп×Iк0=0,33 (Вт)
Таблица 2.2.1.1-
Характеристики вариантов схем коллекторной цепи.
|
Еп,(В)
|
Ррасс,(Вт)
|
Рпотр,(Вт)
|
Iк0,(А)
|
С Rк
|
11,6
|
0,66
|
1,5312
|
0,132
|
С Lк
|
5
|
0,33
|
0,33
|
0,066
|
Из
рассмотренных вариантов схем питания усилителя видно, что целесообразнее
использовать дроссельный каскад.
2.2.2
Выбор транзистора и расчёт эквивалентных схем замещения.
На основании следующих неравенств: Uкэ0(допустимое)>Uкэ0*1,2; Iк0(доп)>Iк0*1.2; Рк расс> Рк расс(доп)*1,2; fт>(3¸10)*fв>2300 МГц выберем транзистор, которым будет
являться 2Т996А [5]. Его параметры необходимые при расчете приведены ниже:
tс=4,6 пс- постоянная цепи обратной связи,
Ск=1,6
пФ- ёмкость коллектора при Uкэ=10 В,
b0=55- статический
коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером,
Uкэ0(доп)=20 В, Iк0(доп)=200 мА-
соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и
постоянной составляющей тока коллектора,
Рк расс(доп)=2,5
Вт-допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе транзистора, fт=5000 МГц- значение граничной частоты транзистора при
которой =1,
Lб=1 нГн, Lэ=0,183 нГн-
индуктивности базового и эмитерного выводов соответственно.
.
2.2.2.1Расчёт
параметров схемы Джиаколетто.
Рисунок 2.2.2.1.1-
Эквивалентная схема биполярного
транзистора (схема Джиаколетто).
Расчёт
основан на [2].
Ск(треб)=Ск(пасп)*=1,6×=2,26 (пФ), где
Ск(треб)-ёмкость
коллекторного перехода при заданном Uкэ0,
Ск(пасп)-справочное
значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).
rб= =2,875 (Ом); gб==0,347 (Cм), где
rб-сопротивление базы,
-справочное значение постоянной цепи
обратной связи.
rэ= ==0,763 (Ом), где
Iк0 в мА,
rэ-сопротивление эмитера.
gбэ===0,023, где
gбэ-проводимость база-эмитер,
-справочное
значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером.
Cэ===41,7 (пФ), где
Cэ-ёмкость эмитера,
fт-справочное значение граничной частоты транзистора при
которой =1
Ri= =100 (Ом), где
Ri-выходное сопротивление транзистора,
Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно
паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной
составляющей тока коллектора.
gi=0.01(См).
2.2.2.2Расчёт
однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области
высоких частот [4].
Рисунок 2.2.2.2.1-
Однонаправленная модель транзистора.
Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн), где
Lб,Lэ-справочные значения
индуктивностей базового и эмитерного выводов соответственно,
Lвх-индуктивность входа транзистора.
Rвх=rб=2,875 (Ом), где
Rвх-входное сопротивление транзистора.
Rвых=Ri=100 (Ом), где
Rвых-выходное сопротивление транзистора.
Свых=Ск(треб)=2,26 (пФ), где
Свых-выходная ёмкость
транзистора.
fmax=fт=5 (ГГц), где
fmax-граничная частота транзистора.
2.2.3
Расчёт и выбор схемы термостабилизации.
2.2.3.1
Эмитерная термостабилизация.
Эмитерная
термостабилизация широко используется в маломощных каскадах, так как потери
мощности в ней при этом не значительны и её простота исполнения вполне их
компенсирует, а также она хорошо стабилизирует ток коллектора в широком
диапазоне температур при напряжении на эмиттере более 3В [3
Рисунок
2.2.3.1.1-Схема каскада с эмитерной термостабилизацией.
Рассчитаем
параметры элементов данной схемы.
Возьмём напряжение на
эмиттере равным Uэ=4 (В);
Eп=Uкэ0+Uэ=9 (В);
Сопротивление в цепи
эмитера будет равно:
Rэ= ==66 (Ом);
Rб1=, Iд=10×Iб, Iб=, Iд=10× =10×=0,012 (А), где
Rб1-сопротивление базового делителя,
Iд-ток базового делителя,
Iб-ток базы.
Rб1==416,7 (Ом);
Rб2= =391,6 (Ом).
Наряду с
эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная
термостабилизации.
2.2.3.2 Пассивная
коллекторная:
Рисунок 2.2.3.2.1-
Схема пассивной коллекторной термостабилизации.
С использованием [3].
Rк=50 (Ом);
URк=Iк0×Rк=3,3 (В), где
URк-падение напряжения на Rк.
Eп=Uкэ0+URк=8,3 (В);
Iд=0,012 (А);
Rб= =360 (Ом).
Ток базы
определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в
точке А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт
увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы,
напряжение в точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в
маломощных каскадах. Но в силу того, что мы будем применять перекрёстные
обратные связи, данная схема нам не подходит.
2.2.3.3
Активная коллекторная термостабилизация.
Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения
в точке А см. рис.(2.2.3.2.1). Получим что при незначительном уменьшении
(увеличении) тока коллектора значительно увеличится (уменьшится) ток базы. И
вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало
порядка 1В [3] см. рис.(2.2.3.3.1).
Статический
коэффициент передачи по току второго транзистора b2=50;
Rк===15,15 (Ом);
Eп=Uкэ0+URк=5+1=6 (В);
Напряжение на базе
второго транзистора будет равно:
UБ2=Uкэ0-0,7=5-0,7=4,3 (В);
Ток коллектора
второго транзистора будет равен:
Iк2=Iд1=0,012 (А);
Страницы: 1, 2
|